UMC будет внедрять high-k диэлектрики в рамках 32 нм техпроцесса
Компания TSMC недавно заявила о готовности начать массовое производство изделий по 40 нм технологии, а также поделилась планами по освоению 32 нм и 28 нм техпроцессов. Если первый она считает промежуточным этапом на пути к 28 нм технологии, то непосредственно 28 нм техпроцесс приносит существенные нововведения типа транзисторов с металлическим затвором и материалов с высоким значением диэлектрической константы (high-k).
|
|
Компания UMC уже выпустила образцы 28 нм ячеек памяти в октябре этого года, а серийное производство 28 нм изделий будет развёрнуто в 2010 году. Для производства опытного образца 28 нм ячейки памяти применялись иммерсионная литография, но UMC пока обошлась без использования high-k диэлектриков. Последние найдут применение в 32 нм и 28 нм чипах с высоким быстродействием, но UMC готова внедрить high-k диэлектрики и при производстве устройств с низким уровнем энергопотребления, если это понадобится заказчику. Напомним, что UMC производит видеочипы по заказам AMD и NVIDIA, а также обслуживает других разработчиков.
Добавлено: 26 ноября 2008
