Elpida готова выпускать память типа DDR-3 с напряжением 1.2 В

Пример компании Hynix доказывает, что с переходом на более "тонкие" техпроцессы память не только увеличивает частотный потенциал, но и снижает уровень энергопотребления. Кроме того, производитель памяти получает возможность выпускать более плотные микросхемы и экономить на удельной себестоимости.

Intel Core i7 920 BOX 2.66 GHz LGA1366 8Mb цена 11'550 руб. Gigabyte GA-EP45T-EXTREME цена 8'460 руб. Диск SSD SATA 64GB Patriot Warp цена 8'270 руб.

Palit 1Gb GeForce 9600GT 2xDVI HDMI Retail цена 4'360 руб. AMD Phenom Quad-Core 9550 OEM Socket AM2+, 2.20 GHz, 2Mb цена 3'910 руб. HDD 750Gb Seagate ST3750330NS SATA-II 32Mb 7200RPM цена 3'860 руб.

Компания Elpida сегодня заявила о готовности начать массовое производство микросхем памяти типа DDR-3 по 50 нм технологии в январе-марте 2009 года. Новый 50 нм техпроцесс с использованием иммерсионной литографии и оборудования с длиной волны 193 нм позволяет микросхемы памяти площадью менее 40 кв.мм. Кроме стандартного напряжения 1.5 В, новые микросхемы памяти типа DDR-3 в исполнении Elpida способны работать при напряжениях 1.35 В и 1.2 В. Максимальное понижение энергопотребления достигает 50% по сравнению с микросхемами памяти, выпускаемыми по 70 нм технологии.

Примечательно, что диапазон рабочих частот 50 нм памяти Elpida лежит в широком диапазоне: от режима DDR3-800 до режима DDR3-2500. Благодаря высоким частотам и низким номинальным напряжениям, память Elpida нового поколения может найти применение не только в составе платформы LGA 1366, но и в серверном сегменте, а ещё мобильных устройствах. Elpida активно ведёт подготовку к переходу на 50 нм техпроцесс в производстве изделий для сегмента потребительской электроники.

Keywords: