Samsung предлагает чипы памяти для модулей DDR3-1066 объёмом 4 Гб
Ещё в конце сентября компания Samsung объявила о доступности двухгигабитных микросхем DDR-3, выпускаемых по 50 нм технологии. Их можно использовать для создания модулей памяти объёмом 4 Гб, при этом уровень энергопотребления для режима DDR3-1333 снижается на 40% по сравнению с микросхемами памяти предыдущего поколения.
Samsung сообщила о получении 2-гигабитными микросхемами DDR-3 сертификата одобрения Intel, позволяющего рекомендовать эти микросхемы для создания модулей памяти, работающих в системе на базе процессоров Core i7. Если быть точнее, официальное одобрение Intel получили модули памяти типа DDR3-1066.Прошу заметить, что эти микросхемы памяти Samsung могут работать при напряжениях 1.35-1.5 В, для процессоров Core i7 эта возможность имеет большое значение. По данным исследований IDC, в следующем году память типа DDR-3 может составлять до 29% всей продаваемой в мире памяти, а к 2011 году занять до 72% рынка. Кроме того, если в 2009 году на долю двухгигабитных микросхем будет приходиться всего 3%, то к 2011 году эта доля увеличится до 33%.
Добавлено: 20 ноября 2008