Память в системах LGA 1366 может работать при напряжениях до 1.875 В?

Одно из первых предостережений, связанных с особенностями работы памяти в системах с разъёмом LGA 1366, гласило о необходимости использования модулей DDR-3 с номинальным напряжением не выше 1.65 В. Считалось, что длительная эксплуатация памяти при больше высоких напряжениях может привести к выходу из строя процессора.

Intel Core i7 920 BOX 2.66 GHz LGA1366 8Mb цена 12'400 руб. ASUS MAXIMUS II FORMULA LGA 775, Intel P45, SATA 3.0, 2*GLAN, внешн.звук.карта SupremeFX X-Fi цена 7'170 руб. Zotac 896Mb GeForce GTX 260 Core 216 448Bit цена 9'260 руб.

HP-Compaq Pavilion dv6730er AMD Athlon 64 X2 1.9 GHz/1024Mb/120Gb SATA/ GeForce Go 7150 128+128Mb/DVD RW (DL)/ 15,4"/Windows Vista Home Premium цена 25'000 руб. Asus X50VL Intel Core Duo 1600 MHz/1024Mb/120Gb SATA/ Ati Mobility Radeon x2300 64+256Mb/DVD RW/ 15,4"/Windows Vista Home Basic цена 39'700 руб. Acer Aspire 2920Z-2A1G16Mi Intel Core Duo 1600 MHz/1024Mb/160Gb/12.1"/ Intel GMA X3100 128+128Mb/DVD RW (DL)/ Windows Vista Home Premium цена 17'200 руб.

Прошу заметить, что некоторые производители памяти отваживались нарушить эти рекомендации, и предлагали модули памяти для Core i7 с возможностью работы при напряжении 1.8 В. Отдельные экспериментаторы на базе личного опыта делали заключения, что непродолжительное повышение напряжения памяти за пределы 1.65 В губительных последствий для процессоров Core i7 иметь не будет.

Самое интересное, что в технической документации Intel по процессорам Core i7 максимально допустимое напряжение для памяти вообще равно 1.875 В! Возможно, Intel рассматривает какие-то дополнительные факторы риска, либо просто делает больший "запас прочности", не рекомендуя превышать усилие 1.65 В.

Как нам удалось выяснить позднее при помощи сайта Bit-Tech, для сохранения жизни процессору достаточно удерживать разницу между напряжениями "неядерной части процессора" (uncore) и памяти в пределах 0.5 В. Оба параметра устанавливаются в BIOS материнской платы.

Keywords: